IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 25нс; FBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY14V101LA-BA25XIT
1745,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: CY14V101LA-BA25XIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: FBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,65...1,95В DC; 3...3,6В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 25нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1%; SMD

1,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206

4,82 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 4,99Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 4,99Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

43,08 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Резистор: metal film; 24мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CSN
Резистор: metal film; 24мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CSN

3,61 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 453Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В
Резистор: thick film; 453Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В

0,38 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Connector: PCB to PCB; female; data; 3A; 1kV; PIN: 20; 2.54mm; tinned
Connector: PCB to PCB; female; data; 3A; 1kV; PIN: 20; 2.54mm; tinned

101,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота після з'єднання:
11,04мм
Кількість пін:
20
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 9÷32ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 0,8А; IP20
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 9÷32ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 0,8А; IP20

1415,99 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,8А
Вхідна напруга:
9...32В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM