IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 3,3В; 12нс; SOJ32; 300mils

Немає в наявності
Код товару: AS7C31025B-12TJCNTR
233,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C31025B-12TJCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Ширіна мікросхеми: 300mils
Connector: wire-wire/PCB; plug; female; data; SignalBee; PIN: 20
Connector: wire-wire/PCB; plug; female; data; SignalBee; PIN: 20

41,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
IDC
Кількість пін:
20
Недоступний
Резистор: thin film; 33кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 33кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

0,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Діод: зенера; 410мВт; 22В; SMD; SOT23; одиночний діод
Діод: зенера; 410мВт; 22В; SMD; SOT23; одиночний діод

17,11 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
22В
Корпус:
SOT23
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 17A/250ВAC; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 17A/250ВAC; THT

65,26 грн

Виводи:
до лютування
Висота:
20,6мм
Зовнішні розміри:
21,2x20,6x16мм
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; TC; 200В
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; TC; 200В

5,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±5%; HV; 400В
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±5%; HV; 400В

0,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 5,76кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,76кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
5,76кОм
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1883,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils

414,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32

164,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100

193,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM