IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ32; 300mils

Немає в наявності
Код товару: AS7C31025B-10TJCN
417,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C31025B-10TJCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Ширіна мікросхеми: 300mils
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X8R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X8R; ±10%; SMD; 0805

1,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 16кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 16кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 20кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C; 500мА
Резистор: thick film; 20кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C; 500мА

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
20кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; NQ; 150В
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; NQ; 150В

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 833мА
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 833мА

1116,96 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,833А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Зовнішні розміри:
31,8x20,3x10,2мм
Недоступний
Резистор: thin film; 2,49кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 2,49кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1883,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils

414,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32

164,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100

193,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM