IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ32; 0÷70°C

Немає в наявності
Код товару: AS7C1025B-12TJCN
470,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C1025B-12TJCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 4,5...5,5В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Ширіна мікросхеми: 300mils
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 21; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 21; SMT; straight

83,00 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
15,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 392Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 392Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷40ВDC; Uвих: 0,8÷36ВDC; 0,6А; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷40ВDC; Uвих: 0,8÷36ВDC; 0,6А; SMD

245,82 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Вихідна напруга:
0,8...36В DC
Недоступний
Роз’єм: провід-провід; штекерний; DT; Iном: 13А; 250В; PIN: 2; IP68
Роз’єм: провід-провід; штекерний; DT; Iном: 13А; 250В; PIN: 2; IP68

0,00 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Зовнішній діаметр проводу:
1,35...3,05мм
Кількість пін:
2
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 9; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 9; THR,THT; 3A

47,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
9,2мм
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,11В; 15,4А; двоспрямована; ±5%; DO214AA
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,11В; 15,4А; двоспрямована; ±5%; DO214AA

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
24В
Резистор: thick film; 21Ом; SMD; 0805; 130мВт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 21Ом; SMD; 0805; 130мВт; ±1%; RC; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
2x1,25мм
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C

16901,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

2897,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

973,14 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit