IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AS7C1024B-20TCN
181,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C1024B-20TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 4,5...5,5В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 20нс
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84
IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84

1415,99 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
FBGA84
Монтаж:
SMD
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 8А; 160В
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 8А; 160В

152,69 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Відповідність стандарту:
CSA; UL; VDE
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 20м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 20м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А; PUR

1866,45 грн

Довжина кабелю:
20м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60

708,31 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
FBGA60
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 12; 3,5м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 1,5А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 12; 3,5м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 1,5А

3016,35 грн

Довжина кабелю:
3,5м
Кількість пін:
12
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 11кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 11кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 4,7мкФ; 400ВDC; Ø12,5x13,5мм
Конденсатор: електролітичний; SMD; 4,7мкФ; 400ВDC; Ø12,5x13,5мм

12,16 грн

Висота:
13,5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мкФ
Монтаж:
SMD
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1883,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils

414,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32

164,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

318,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100

193,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT