IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP32; паралельний

Немає в наявності
Код товару: IS61C1024AL-12TLI-TR
275,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: IS61C1024AL-12TLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Недоступний
Резистор: thick film; 2,87Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,87Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,89 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 5,49кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 5,49кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Кристал; 30МГц; SMD; 5x3,2x0,9мм; 10пФ; Стаб.част: ±10ppm; -20÷70°C
Кристал; 30МГц; SMD; 5x3,2x0,9мм; 10пФ; Стаб.част: ±10ppm; -20÷70°C

19,26 грн

Допуск резонаторів:
±10ppm
Ємність:
10пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Недоступний
Резистор: thick film; 475кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; HP; 50В
Резистор: thick film; 475кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; HP; 50В

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Роз’єм: затискна планка; роз'єм живлення; OMNIMATE; 32А; PIN: 1
Роз’єм: затискна планка; роз'єм живлення; OMNIMATE; 32А; PIN: 1

116,57 грн

Alias:
PGK 4 BK
Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
24,3мм
Електричний монтаж:
push-in
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В

2,12 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 4,02Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 4,02Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

43,08 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils

414,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32

164,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

393,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II

255,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD