IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; SOIC16; -40÷105°C; 108МГц

Немає в наявності
Код товару: CY14V101QS-SF108XQT
1080,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY14V101QS-SF108XQT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOIC16
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,71...2В DC; 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...105°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: послідовний
Частота: 108МГц
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0805

17,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

5,07 грн

Alias:
KAM21BR72A103KM
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Трансформатор: мережевий; 800ВА; 400ВAC; 230В; гвинтовий; IP00
Трансформатор: мережевий; 800ВА; 400ВAC; 230В; гвинтовий; IP00

21587,08 грн

Виводи:
затискна планка
Вторинна напруга 1:
230В
Клас герметичності:
IP00
Монтаж:
гвинтовий
Недоступний
Симістор; 600В; 8А; Igt: 5мА; TO220AB; туба; Ifsm: 80А
Симістор; 600В; 8А; Igt: 5мА; TO220AB; туба; Ifsm: 80А

17,68 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; M; 7,3x6,6x4,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; M; 7,3x6,6x4,8мм

18,50 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7,3x6,6x4,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1210

9,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,5%
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

163,46 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI