IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; SOIC16; -40÷85°C; туба; 30МГц

Немає в наявності
Код товару: CY14V101Q3-SFXI
814,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 920
Крок додавання: 920
Код товару: CY14V101Q3-SFXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: туба
Корпус: SOIC16
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,65...1,95В DC; 3...3,6В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: послідовний
Частота: 30МГц
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; тросик
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; тросик

105,80 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вид кабелю:
U/UTP
Резистор: thick film; 140кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 140кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір 24В; на панель; IP65; прямий
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір 24В; на панель; IP65; прямий

1761,28 грн

Застосування - серія/виробник:
Han® B; Rear Fit
Клас герметичності:
IP65
Корпус:
розмір 24В
Кріплення вкладки:
104x27мм
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NC; 0÷6мм; 10÷30ВDC; M8; 5м
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NC; 0÷6мм; 10÷30ВDC; M8; 5м

4417,77 грн

Дальність:
0...6мм
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
2-провідний NC
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 180мкГн; 120мА; R: 4,5Ом; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 180мкГн; 120мА; R: 4,5Ом; ±20%

11,28 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,18мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
4,5Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 165кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 165кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; 60А; HFKF; 900мВт
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; 60А; HFKF; 900мВт

98,83 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
100000 цикли
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
60А
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба

78,56 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба

44,98 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C