IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR
245,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
12нФ
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 20Вт; 120÷370ВDC; 85÷264ВAC
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 20Вт; 120÷370ВDC; 85÷264ВAC

2354,92 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
6А
Електричне під'єднування:
з'єднувач з пружинним замком
Недоступний
Резистор: thick film; 26,7кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 26,7кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 2,03кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,03кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 0,5А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 0,5А

27,88 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,5А
Недоступний
Резистор: thin film; 200кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 200кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

10,64 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 30,1кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 30,1кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

479,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48

368,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
LQFP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

105,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C

1077,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C