IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: AS6C1016-55BIN
233,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: AS6C1016-55BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 2,7...5,5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 100-600%@5mA
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 100-600%@5mA

62,09 грн

CTR@If:
100-600%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X6S; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X6S; ±20%; SMD; 0603

1,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
Маркер: кабельний; 12,2÷24,4мм; вінил; білий; UL94V-0
Маркер: кабельний; 12,2÷24,4мм; вінил; білий; UL94V-0

15,21 грн

Зовнішній діаметр проводу:
12,2...24,4мм
Клас горючості:
UL94V-0
Колір:
білий
Матеріал:
вінил
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0805; 130мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0805; 130мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Ключ: шестигранний; Різновид рукоятки: L; HEX 6мм
Ключ: шестигранний; Різновид рукоятки: L; HEX 6мм

416,24 грн

Різновид рукоятки:
L
Розмір грота:
HEX 6мм
Тип ключа:
шестигранний
Недоступний
Резистор: thin film; 130кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 130кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; 5кВ; SMD4; VO61x
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; 5кВ; SMD4; VO61x

11,40 грн

Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
SMD4
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

318,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28

359,86 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

408,64 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C

606,94 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
4,5...5,5В
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

480,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ44; 400mils

310,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD