IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; SOJ44; 400mils

Немає в наявності
Код товару: AS7C31026B-12JCNTR
233,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C31026B-12JCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ44
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight

7,48 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
29мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,13 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Датчик: відстані; на відбиття; Дальність: 50÷250мм; 12÷28ВDC; IP67
Датчик: відстані; на відбиття; Дальність: 50÷250мм; 12÷28ВDC; IP67

97918,27 грн

Дальність:
50...250мм
Зовнішні розміри:
20,6x65x50мм
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,5%; ARG; 50В
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,5%; ARG; 50В

0,96 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 0805; 1,91кОм; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 0805; 1,91кОм; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
1,91кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0805

1,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 6,34кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 6,34кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1473,01 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32

150,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

393,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II

255,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II

445,39 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM