IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; TFBGA48; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: IS61WV6416BLL-12BLI
161,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: IS61WV6416BLL-12BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Недоступний
Резистор: thick film; 7,68кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 7,68кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
7,68кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 16AWG; ПВХ; білий; 300В; 30,5м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 16AWG; ПВХ; білий; 300В; 30,5м

2173,72 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 75В; -55÷155°C

3,48 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Pliers: set; Morse's; Gedore Red; Chrom-vanadium steel; chromium
Pliers: set; Morse's; Gedore Red; Chrom-vanadium steel; chromium

2105,30 грн

Type of pliers:
SET
Вид щипці:
Морзе
Властивості кусачок/ножів:
регулюючий гвинт дає змогу вступної регуляції відкриття щелеп і їх сили затискання на предметі
Кількість в наборі/упаковці:
3шт.
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SC70,SOT323
Транзистор: PNP; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SC70,SOT323

8,87 грн

Вид транзистора:
BRT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,6пФ
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

479,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48

368,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
LQFP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils

180,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

724,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD