IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS61WV6416BLL-12TLI
245,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 135
Крок додавання: 135
Код товару: IS61WV6416BLL-12TLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А

130,51 грн

Зовнішні розміри:
14x9x5,6мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
2А
Матеріал контакту:
сплав срібла
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
LED стрічка; теплий білий; Корп.(мм): 2835; LED/м: 120; 10мм; IP65
LED стрічка; теплий білий; Корп.(мм): 2835; LED/м: 120; 10мм; IP65

319,31 грн

Відповідність стандарту:
UL
Властивості джерел світла:
біла РСВ
Властивості діодів LED:
у гелі
Кількість LED на метр:
120
Провід; SF/UTP; ETHERLINE® Cat.5e; 4x2x24AWG; Cat 5e; дріт; Cu
Провід; SF/UTP; ETHERLINE® Cat.5e; 4x2x24AWG; Cat 5e; дріт; Cu

209,07 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка Al; подвійно екранований
Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0201

0,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,2пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 124кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 124кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1473,01 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32

150,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28

446,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32

577,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

503,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II

445,39 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT