IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: CY7C1021DV33-10ZSXIT
112,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY7C1021DV33-10ZSXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 10мкФ; 16ВDC; SMD; B; 1311; ±10%; -55÷200°C
Конденсатор: танталовий; 10мкФ; 16ВDC; SMD; B; 1311; ±10%; -55÷200°C

247,09 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Корпус:
B
Корпус - дюйм:
1311
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

5,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 25ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 25ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C

91,87 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
33мкФ
Корпус:
D
Корпус - дюйм:
2917
Конденсатор: керамічний; 3нФ; 16В; X8R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 3нФ; 16В; X8R; ±10%; SMD; 0603

1,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Ємність:
3нФ
Недоступний
Модуль: діодно-тиристорний; 1,2кВ; 65А; TO240AA; Ufmax: 1,17В
Модуль: діодно-тиристорний; 1,2кВ; 65А; TO240AA; Ufmax: 1,17В

1358,97 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,26 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; Xtra Guard® Flex; 9x22AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu
Провід; Xtra Guard® Flex; 9x22AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu

102348,07 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
C(RU) AWM I/II A/B FT1; UL 2587
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C

606,94 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
4,5...5,5В
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

318,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100

193,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

3466,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2551,95 грн