IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 45нс; TSOP44 II; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY14B101NA-ZS45XI
1890,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 675
Крок додавання: 675
Код товару: CY14B101NA-ZS45XI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thin film; 942Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 942Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; -15В; 1А; THT
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; -15В; 1А; THT

29,14 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
-15В
Вихідний струм:
1А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 5A/250ВAC; G6DN
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 5A/250ВAC; G6DN

167,26 грн

Зовнішні розміри:
5,05x12,45x19,97мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
5А
Матеріал контакту:
Ag/Au
Недоступний
Резистор: thick film; 9,53Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,53Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,89 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; 28,9÷31,9В; 118,8А; двоспрямована; ±5%; 5.0SMCJ
Діод: TVS; 5кВт; 28,9÷31,9В; 118,8А; двоспрямована; ±5%; 5.0SMCJ

185,63 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
26В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Резистор: thin film; 634Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 634Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

13,87 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

105,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C

1077,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

229,35 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

489,74 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD