IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; TSOP28; 0÷70°C

Немає в наявності
Код товару: AS7C3256A-15TCN
432,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C3256A-15TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP28
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 15нс
Станція: паяльна; Потужність станції: 90Вт; 200÷420°C; ESD
Станція: паяльна; Потужність станції: 90Вт; 200÷420°C; ESD

17746,47 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вид нагрівача:
електромагнітна
Властивості паяльного обладнання:
максимальна вага котушки з припоєм 1 кг; мікропроцесорне управління; можливість працювати по безсвинцевій технології
Діаметр паяльного дроту:
0,6...1,2мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,5пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,21кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 1,21кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; steel; 3N; push-in; 30mΩ
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; steel; 3N; push-in; 30mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Резистор: thick film; 39кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 39кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

15,21 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 10ВDC; Ø6,3x11мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 10ВDC; Ø6,3x11мм; ±20%

3,90 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
470мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

5,39 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
3,2x2,5x0,6мм
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 4.2ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1473,01 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32

150,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

393,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II

255,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II

445,39 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM