IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 10нс; TSOP28

Немає в наявності
Код товару: AS7C256A-10TIN
312,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C256A-10TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP28
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча напруга: 4,5...5,5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Маркер: кабельний; Маркування: 0; 1; 2; 3; 4; 5; 6; 7; 8; 9
Маркер: кабельний; Маркування: 0; 1; 2; 3; 4; 5; 6; 7; 8; 9

390,90 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів
Висота:
5,5мм
Властивості кабельних аксесуарів:
міжнародний код кольорів
Довжина:
3мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

8,87 грн

Alias:
C0603C300J5GAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

1,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
12пФ
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 3÷18ВDC; -55÷125°C
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 3÷18ВDC; -55÷125°C

31,68 грн

Вид затвору:
NAND
Кількість каналів:
quad; 4
Корпус:
SO14
Монтаж:
SMD
Недоступний
Наконечник; викрутка; 6мм; longlife; для паяльника
Наконечник; викрутка; 6мм; longlife; для паяльника

262,92 грн

Властивості паяльного обладнання:
LONGLIFE
Застосування паяльного обладнання:
для паяльника
Розміри наконечника:
6мм
Супутні товари:
D-GS60
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6,9А; 104Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6,9А; 104Вт; TO220-3

146,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Резистор: thin film; 120кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 120кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; -40÷85°C

457,43 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils

345,92 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C

159,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

472,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM