IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP28

Немає в наявності
Код товару: AS7C256A-12TCN
243,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C256A-12TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP28
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча напруга: 4,5...5,5В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Недоступний
Резистор: thick film; 270кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 270кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 100мкФ; 4ВDC; B; 1311
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 100мкФ; 4ВDC; B; 1311

143,82 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; CQ; 200В

0,92 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 6,81Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 6,81Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Connector: D-Sub; PIN: 9; socket; data transfer; right; soldering
Connector: D-Sub; PIN: 9; socket; data transfer; right; soldering

5267,37 грн

Connector family:
data transfer
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
9
Матеріал контакту:
сплав міді
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 100мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 100мА

438,42 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
5В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 3кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 3кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%

122,28 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1883,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils

414,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32

164,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100

193,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM