1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, паралельні

IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP28; -40÷85°C

IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP28; -40÷85°C
Немає в наявності
Код товару: AS7C256A-12TINTR
161,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C256A-12TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP28
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 16ВDC; SMD; A; 1206; ±20%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 16ВDC; SMD; A; 1206; ±20%; -55÷125°C

14,76 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Корпус:
A
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

26,61 грн

Alias:
KGQ21HCG2D3R3BT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,9пФ
Недоступний
Оптотріак; 4,17кВ; Uвих: 400В; симистор; SMT6; Ch: 1; MOC304XM; туба
Оптотріак; 4,17кВ; Uвих: 400В; симистор; SMT6; Ch: 1; MOC304XM; туба

55,75 грн

Вид виходу:
симистор
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
400В
Відповідність стандарту:
VDE
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 16; HIF3; angled; THT; 2.54mm
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 16; HIF3; angled; THT; 2.54mm

56,39 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0616-0063-5-71
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 37,1÷41В; односпрямована; DO214AB,SMC; 1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 37,1÷41В; односпрямована; DO214AB,SMC; 1.5SMC

8,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
33,3В
Корпус:
DO214AB; SMC
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C

16901,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

2897,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

973,14 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit