IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 5В; 25нс; SOP28; паралельний

Немає в наявності
Код товару: IS62C256AL-25ULI-TR
112,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IS62C256AL-25ULI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: SOP28
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256кб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 25нс
Недоступний
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 3; гніздовий; промислова; C091D; 300В; 5А
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 3; гніздовий; промислова; C091D; 300В; 5А

424,48 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
3
Діод: зенера; 410мВт; 3,3В; SMD; SOD123; одиночний діод
Діод: зенера; 410мВт; 3,3В; SMD; SOD123; одиночний діод

4,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,3В
Корпус:
SOD123
Недоступний
Резистор: thick film; 953Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 953Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В; -55÷155°C

21,48 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4320
Корпус - мм:
1150
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thin film; 82Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 82Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0; 75В

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; ±20%; 8,5А; 54,7мОм; -55÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; ±20%; 8,5А; 54,7мОм; -55÷125°C

17,30 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
3,3мкГн
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
54,7мОм
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32

280,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

480,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C

16901,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

2897,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

973,14 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT