IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: R1RP0416DSB-2PI#D1
1087,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4
Код товару: R1RP0416DSB-2PI#D1
Виробник: RENESAS
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 80МГц; UFBGA100; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 80МГц; UFBGA100; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; TRNG; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; LPUART; QSPI; SAI; SDMMC; SPI; SWPMI; USART
Кількість входів/виходів:
83
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 43пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 43пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В

2,12 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 77,9÷86,1В; 3,7А; односпрямована; SMA; P4SMA
Діод: TVS; 0,4кВт; 77,9÷86,1В; 3,7А; односпрямована; SMA; P4SMA

3,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
70,1В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 10бит; 40Мsps; VQFN64; 1,8ВDC,3,3ВDC
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 10бит; 40Мsps; VQFN64; 1,8ВDC,3,3ВDC

0,00 грн

Інтерфейс:
serial
Кількість каналів:
8
Корпус:
VQFN64
Монтаж:
SMD
Діод: випрямний; THT; 200В; 1А; Ifsm: 30А; DO41; Ufmax: 1В; 50нс
Діод: випрямний; THT; 200В; 1А; Ifsm: 30А; DO41; Ufmax: 1В; 50нс

1,90 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В

2,12 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48

368,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
LQFP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils

180,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

724,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 5В; 12нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 5В; 12нс; SOJ44; 400mils

404,21 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1327,30 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Структура пам'яті:
2Кx8бит
IC: пам'ять SRAM; 45нс; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 45нс; паралельний; -40÷85°C

2385,33 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C