IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR
309,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thin film; 30кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 30кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Пильний диск-комплект; алюміній,дерево,пластик,лобзик; 130мм
Пильний диск-комплект; алюміній,дерево,пластик,лобзик; 130мм

241,38 грн

Використання інструментів:
алюміній; дерево; лобзик; пластик
Ділення полотна:
17зуби/дюйм
Довжина полотна:
130мм
Кількість в наборі/упаковці:
12шт.
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

38,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,3пФ
Резистор: thick film; 133кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 133кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; -55÷155°C

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0402

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
IC: PMIC; контролер PWM; SO16; 0÷70°C; 16÷30В; туба; SMPS; 10÷30ВDC
IC: PMIC; контролер PWM; SO16; 0÷70°C; 16÷30В; туба; SMPS; 10÷30ВDC

72,23 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер PWM
Вид упаковки:
туба
Використання:
SMPS
Вихідний струм:
1А
Недоступний
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; AS; 200В

1,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1883,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils

414,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32

164,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

393,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II

255,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II

445,39 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM