IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS65WV12816BLL-55TLA3-TR
400,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IS65WV12816BLL-55TLA3-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 128Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Резистор: thick film; 2,49кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,49кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Дисплей: LCD; 7-сегментний; STN Positive; К-ть знак: 8; Знак: 9мм
Дисплей: LCD; 7-сегментний; STN Positive; К-ть знак: 8; Знак: 9мм

0,00 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
9мм
К-ть знаків, що відображуються:
8
Робоча температура:
-40...90°C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210

36,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А

221,11 грн

Alias:
SLD 3.50/12/90 3.2SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
26,5мм
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; SR; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; SR; -55÷155°C

0,54 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 3A,4A; Ø: 1.4mm; series 100; CuBe; 1.5N; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 3A,4A; Ø: 1.4mm; series 100; CuBe; 1.5N; 20mΩ

70,32 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,4мм
Діаметр наконечника:
1,4мм
Довжина:
33,4мм
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

479,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48

368,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
LQFP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils

180,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

724,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD