IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3,3В; 55нс; TFBGA36; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: AS6C2008-55BINTR
202,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: AS6C2008-55BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TFBGA36
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Резистор: thin film; 69,8кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%
Резистор: thin film; 69,8кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%

4,62 грн

Діаметр:
1,5мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±0,1%
Корпус:
MiniMELF
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 5
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 5

1142,30 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
помаранчевий
Недоступний
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

1,24 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,99 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Діод: TVS; 500Вт; 13,3В; 25,1А; двоспрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 500Вт; 13,3В; 25,1А; двоспрямована; DO214AC,SMA

16,22 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
12В
Недоступний
Резистор: thin film; 681Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 681Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

479,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

105,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C

1077,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C