IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 262кx8битов; 2,5÷3,6В; 55нс; TFBGA36

Немає в наявності
Код товару: IS62WV2568BLL-55BLI-TR
197,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS62WV2568BLL-55BLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA36
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 262кx8битов
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; THT; 150В; 15Аx2; TO220AB; Ufmax: 0,75В
Діод: випрямний Шотткі; THT; 150В; 15Аx2; TO220AB; Ufmax: 0,75В

58,29 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
150В
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 2,87кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,87кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
2,87кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В

1,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Роз’єм: круглі; контакт; PIN: 1; штекерний; промислова; затискання
Роз’єм: круглі; контакт; PIN: 1; штекерний; промислова; затискання

39,91 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
затискання
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,6пФ
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 3кА; Iвих: 5А; 0,5@max60ВА; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 3кА; Iвих: 5А; 0,5@max60ВА; 50÷60Гц

3850,11 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
3кА
Діаметр внутрішній:
86мм
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28

359,86 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

408,64 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ44; 400mils

310,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

3466,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2551,95 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

2192,10 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C