IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 71256SA35SOG1
232,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 130
Крок додавання: 26
Код товару: 71256SA35SOG1
Виробник: RENESAS
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Монтаж: SMD
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 35нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 62пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 62пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
IC: цифровий; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT23-5; 1,65÷5,5ВDC; 10мкА
IC: цифровий; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT23-5; 1,65÷5,5ВDC; 10мкА

12,67 грн

Вид затвору:
OR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
single; 1
Корпус:
SOT23-5
Модуль автоматики: перетворювач; тиск; -100÷100кПа; OUT: 2; DP-100
Модуль автоматики: перетворювач; тиск; -100÷100кПа; OUT: 2; DP-100

5907,89 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD
Вид виходу 1:
PNP
Вид виходу 2:
аналоговий
Діапазон налаштування тиску:
-0,1...0,1МПа
Недоступний
Резистор: thick film; 294кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 294кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5x0,35мм
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 60МГц; SMD; TQFP64; PIC24; лоток
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 60МГц; SMD; TQFP64; PIC24; лоток

300,94 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C; IrDA; LIN; PWM; SMBus; SPI x2
Кількість входів/виходів:
53
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,1пФ; 50В; CHA; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,1пФ; 50В; CHA; ±0,25пФ; SMD; 0402

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Ємність:
4,1пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 560Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В
Резистор: thick film; 560Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В

0,39 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C

16901,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

2897,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD