IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,2÷3,6В; 10нс; VFBGA48

Немає в наявності
Код товару: CY7C1041G30-10BVXI
155,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: CY7C1041G30-10BVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 2,2...3,6В
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Свердло; для металу; Ø: 8,5мм; L: 117мм
Свердло; для металу; Ø: 8,5мм; L: 117мм

248,99 грн

Використання інструментів:
бронза; латунь; легована сталь; чавун
Відповідність стандарту:
DIN 338 B
Діаметр свердла:
8,5мм
Довжина:
117мм
Недоступний
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 500А; Iвих: 5А; 40÷60Гц; -25÷50°C
Трансформатор: струмовий; Iвх: 500А; Iвих: 5А; 40÷60Гц; -25÷50°C

5188,17 грн

Вихідний струм:
5А
Вхідний струм:
500А
Клас точності:
0,5 @max 2,5ВА; 1 @max 5ВА
Монтаж:
на панель; на шину DIN
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD

0,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 1,43Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 1,43Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

9,63 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Модуль автоматики: інвертор; 22кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC; 45А
Модуль автоматики: інвертор; 22кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC; 45А

0,00 грн

Вихідна напруга інвертора:
3 x 400В AC
Вихідна частота:
0...599Гц
Властивості контролерів:
вбудований фільтр EMC
Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 4,7мкФ; 25В; X7R; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 4,7мкФ; 25В; X7R; ±10%; THT; 5мм

8,17 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C

606,94 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
4,5...5,5В
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

318,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100

193,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

3466,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2551,95 грн