IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 10нс; BGA48

Немає в наявності
Код товару: AS7C34098B-10BIN
385,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: AS7C34098B-10BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: BGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 10нс
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,5÷12ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,5÷12ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

2129,37 грн

Використання:
вимірювальний прилад; медичні програми; промисловість
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
146мА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 450В; X7T; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 450В; X7T; ±20%; SMD; 2220

152,69 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Діод: TVS; 600Вт; 11,7В; 35,3А; односпрямована; SOD128F; макс.150°C
Діод: TVS; 600Вт; 11,7В; 35,3А; односпрямована; SOD128F; макс.150°C

17,74 грн

Зворотна напруга макс.:
10В
Корпус:
SOD128F
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
11,7В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,60 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
68Ом
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 430Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,4x28мм
Резистор: вуглецевий; 430Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,4x28мм

0,44 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6мм
Допуск:
±5%
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS

32,94 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер; контролер лінії; неінвертуючий
Кількість каналів:
8
Корпус:
SO20
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C

606,94 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
4,5...5,5В
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

318,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100

193,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

3466,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2551,95 грн