IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 45нс; FBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY14B104NA-BA45XE
2297,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 598
Крок додавання: 598
Код товару: CY14B104NA-BA45XE
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 26,29÷27,64В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 26,29÷27,64В; SMD; DO219AC,microSMF

1,34 грн

Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±3%
Зенерівська напруга:
26,29...27,64В
Корпус:
DO219AC; microSMF
Connector: wire-wire; socket; female; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 4
Connector: wire-wire; socket; female; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 4

324,38 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
4
LED; червоний; 10мм; миготлива; 220÷330мкд; 30°; 3÷5ВDC; 20мА
LED; червоний; 10мм; миготлива; 220÷330мкд; 30°; 3÷5ВDC; 20мА

20,91 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
10мм
Довжина хвилі λd:
620...630нм
Кількість виводів:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Резистор: thick film; 383кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 383кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RC; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

1,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 33,2Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 33,2Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

479,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48

368,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
LQFP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils

180,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

724,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 5В; 12нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 5В; 12нс; SOJ44; 400mils

404,21 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C