IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 25нс; TSOP44 II; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY14B104LA-ZS25XIT
2515,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY14B104LA-ZS25XIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 25нс
Недоступний
IC: цифровий; буфер,відвертаючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS; SMD
IC: цифровий; буфер,відвертаючий,контролер лінії; Ch: 8; CMOS; SMD

16,28 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер; відвертаючий; контролер лінії
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
8
Недоступний
Резистор: thin film; 2,32кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 2,32кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

0,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Діод: TVS; 72В; 3кА; двоспрямована; TO218; Ch: 1; туба
Діод: TVS; 72В; 3кА; двоспрямована; TO218; Ch: 1; туба

990,24 грн

Вид упаковки:
туба
Ємність:
6нФ
Зворотна напруга макс.:
66В
Кількість каналів:
1
Резистор: thick film; 3,32кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,32кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5мм
Імпульсна макс. напруга:
100В
Недоступний
Резистор: thick film; 1,1Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 1,1Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В

1,50 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Діод: випрямний; THT; 100В; 6А; Ifsm: 400А; P600; ролик 13 дюймів
Діод: випрямний; THT; 100В; 6А; Ifsm: 400А; P600; ролик 13 дюймів

72,23 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Кількість в наборі/упаковці:
800шт.
Корпус:
P600
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1812

36,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils

414,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32

164,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

393,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II

255,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II

445,39 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1883,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C