IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ36

Немає в наявності
Код товару: AS7C4096A-12JIN
696,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C4096A-12JIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ36
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 4,5...5,5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 28Вт; Uвх: 7,5÷15ВDC; Uвих: 700мВDC÷1,8ВDC
Перетворювач: DC/DC; 28Вт; Uвх: 7,5÷15ВDC; Uвих: 700мВDC÷1,8ВDC

585,40 грн

Вихідна напруга:
0,7...1,8В DC
Вихідний струм:
16А
Вхідна напруга:
7,5...15В DC
Зовнішні розміри:
10,5x9x5мм
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 8кБEEPROM; SPI; 1Кx8бит; TSSOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 8кБEEPROM; SPI; 1Кx8бит; TSSOP8; послідовний

38,01 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
TSSOP8
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,67 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 0,215А; 4нс; X1-DFN1006-2
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 0,215А; 4нс; X1-DFN1006-2

18,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
мало сигнальний
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
X1-DFN1006-2
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 5м; вилка; 600ВDC; 600ВAC; 16А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 5м; вилка; 600ВDC; 600ВAC; 16А; PUR

4622,41 грн

Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP69K
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 169Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 169Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 4.2ns; parallel; -40÷85°C

16901,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 35нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

2897,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 12нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

973,14 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit