IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; 0÷70°C

Немає в наявності
Код товару: AS7C513B-12TCNTR
227,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C513B-12TCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512кб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 32Кx18бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 2200мкФ; 6,3ВDC; Ø12,5x13,5мм
Конденсатор: електролітичний; SMD; 2200мкФ; 6,3ВDC; Ø12,5x13,5мм

55,75 грн

Висота:
13,5мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мФ
Ключ: шестигранний; ізольований; HEX 6мм; Довж.заг: 188мм
Ключ: шестигранний; ізольований; HEX 6мм; Довж.заг: 188мм

639,26 грн

Вид ключа:
ізольований
Відповідність стандарту:
IEC 60900; VDE
Загальна довжина:
188мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
Резистор: thin film; 255кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 255кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

37,38 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1А; 150нс; SMA; Ufmax: 1,3В; Ifsm: 30А
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1А; 150нс; SMA; Ufmax: 1,3В; Ifsm: 30А

2,38 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Недоступний
Резистор: thin film; 72,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В
Резистор: thin film; 72,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В

5,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1883,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils

414,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32

164,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

393,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100

193,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT