IC: пам'ять SRAM; 512кБSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C

Немає в наявності
Код товару: 23LC512T-E/SN
97,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3300
Крок додавання: 3300
Код товару: 23LC512T-E/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512кб SRAM
Робоча напруга: 2,5...5,5В
Робоча температура: -40...125°C
Стандартне пакування виробника: 3300шт.
Структура пам'яті: 64Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 32нс
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В

1,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 100В; 16А; Ifsm: 125А; TO220AB; туба
Діод: випрямний; THT; 100В; 16А; Ifsm: 125А; TO220AB; туба

42,45 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 24бит; 30кsps; 1,8÷3,6/4,75÷5,25В
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 24бит; 30кsps; 1,8÷3,6/4,75÷5,25В

0,00 грн

Вид входу:
differential; single-ended
Властивості інтегральних мікросхем:
delta-sigma
Інтерфейс:
SPI
Кількість каналів:
2
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 4,7В; SMD; 5мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 4,7В; SMD; 5мкА; ролик,cтрічка

2634,95 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
4,7В
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,05 грн

Допуск:
±5%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,5пФ
Недоступний
Діод: зенера; 5Вт; 100В; DO201AE; одиночний діод; Ammo Pack
Діод: зенера; 5Вт; 100В; DO201AE; одиночний діод; Ammo Pack

9,95 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зенерівська напруга:
100В
Корпус:
DO201AE
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба

78,56 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба

44,98 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C