IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 71V424L10YG
357,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 80
Крок додавання: 20
Код товару: 71V424L10YG
Виробник: RENESAS
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Корпус: SOJ36
Монтаж: SMD
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Роз’єм: сонячний; вилка; штекерний; роз'єм живлення; MC4; 45А; 1кВ
Роз’єм: сонячний; вилка; штекерний; роз'єм живлення; MC4; 45А; 1кВ

121,01 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Застосування роз’ємів:
фотоелектрика
Індикатор: LED; опукла; зелений; 24÷28ВDC; Ø8,2мм; IP40; конектори
Індикатор: LED; опукла; зелений; 24÷28ВDC; Ø8,2мм; IP40; конектори

134,95 грн

Виводи:
конектори
Вид індикатора:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Клас герметичності:
IP40
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,3пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 59Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 59Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603

0,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
47пФ
Модуль автоматики: інвертор; 1,5/2,2кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC
Модуль автоматики: інвертор; 1,5/2,2кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC

19495,08 грн

Вихідна напруга інвертора:
3 x 400В AC
Вихідна частота:
0...400Гц
Властивості входу 1:
задавання швидкості обертання сигналом 0...10В, 4...20мА, 0...20мА
Властивості контролерів:
вбудований фільтр EMC
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

105,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C

1077,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

229,35 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

489,74 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD