1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, послідовн

IC: пам'ять SRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; SOIC8; -40÷125°C; 400нс

IC: пам'ять SRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; SOIC8; -40÷125°C; 400нс
Немає в наявності
Код товару: 47L04T-E/SN
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3300
Крок додавання: 3300
Код товару: 47L04T-E/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Стандартне пакування виробника: 3300шт.
Структура пам'яті: 512x8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 400нс
Кристал; 18пФ; SMD; ESR: 40Ом; 20МГц; Стаб.част: ±50ppm; -20÷70°C
Кристал; 18пФ; SMD; ESR: 40Ом; 20МГц; Стаб.част: ±50ppm; -20÷70°C

14,76 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
40Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 1,8мФ; 63ВDC; Ø18x35мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 1,8мФ; 63ВDC; Ø18x35мм; ±20%

126,71 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
35мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Резистор: вуглецевий; 330кОм; THT; 0,25Вт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм
Резистор: вуглецевий; 330кОм; THT; 0,25Вт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм

1,02 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 270Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%; ERA2VEB
Резистор: thin film; 270Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%; ERA2VEB

7,92 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В

0,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Філамент: ABS; 1,75мм; сірий; 245÷265°C; 1кг; Темп.столу: 90÷100°C
Філамент: ABS; 1,75мм; сірий; 245÷265°C; 1кг; Темп.столу: 90÷100°C

1464,14 грн

Діаметр філаменту:
1,75мм
Колір:
сірий
Маса нетто:
1кг
Серія виробника:
PolyLite™
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C