IC: пам'ять SRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; TSSOP8; -40÷125°C; 400нс

Немає в наявності
Код товару: 47L04T-E/ST
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: 47L04T-E/ST
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Стандартне пакування виробника: 2500шт.
Структура пам'яті: 512x8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 400нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,1пФ; 25В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,1пФ; 25В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 01005

0,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
3,1пФ
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 15мкФ; 6,3ВDC; SMD; B; 1411; ±10%
Конденсатор: танталовий; 15мкФ; 6,3ВDC; SMD; B; 1411; ±10%

0,00 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
15мкФ
Корпус:
B
Корпус - дюйм:
1411
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 44,7÷49,4В; односпрямована; DO214AB,SMC; 1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 44,7÷49,4В; односпрямована; DO214AB,SMC; 1.5SMC

27,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
40,2В
Корпус:
DO214AB; SMC
Діод: TVS; 5кВт; 64,4В; 53,5А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 5кВт; 64,4В; 53,5А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

73,49 грн

Зворотна напруга макс.:
58В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,4пФ
Недоступний
Відрізна фреза; Ø: 125мм; Товщ.диска: 2,5мм; сталь; 22мм
Відрізна фреза; Ø: 125мм; Товщ.диска: 2,5мм; сталь; 22мм

0,00 грн

Вид рукоятки:
монтажний отвір
Використання інструментів:
сталь
Діаметр диску:
125мм
Розмір гнізда тримача - мм:
22мм
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C