IC: пам'ять SRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; SOIC8; -40÷125°C; туба; 400нс

Немає в наявності
Код товару: 47C04-E/SN
39,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 100
Код товару: 47C04-E/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: туба
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Робоча напруга: 4,5...5,5В
Робоча температура: -40...125°C
Стандартне пакування виробника: 100шт.
Структура пам'яті: 512x8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 400нс
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; THT; angled; 1x25
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; THT; angled; 1x25

46,88 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21мм
Електричний монтаж:
THT
Перемикач: кулачковий, декілька положень; Фікс.поз: 6; 20А; Поз: 6
Перемикач: кулачковий, декілька положень; Фікс.поз: 6; 20А; Поз: 6

3435,13 грн

Зовнішні розміри:
76x68x115мм
Кількість всіх позицій:
6
Кількість полюсів:
1
Кількість фіксованих позицій:
6
Недоступний
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 0805; 750мВт; ±1%; SG73S; 400В
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 0805; 750мВт; ±1%; SG73S; 400В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; 400В; 5x2,5x0,6мм
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; 400В; 5x2,5x0,6мм

4,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
5x2,5x0,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 7,5кОм; SMD; 1210; 330мВт; ±5%; HQ; 200В

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 32; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 32; THT; 1.5A; 60V

233,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
2,5мм
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,5%; SOT23; 100мА
IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,5%; SOT23; 100мА

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±0,5%
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

114,67 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба

78,56 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба

44,98 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C