IC: пам'ять SRAM; 64кБSRAM; 8Кx8бит; 1,7÷1,95В; DIP8; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: 23A640-I/P
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 60
Код товару: 23A640-I/P
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: туба
Корпус: DIP8
Пам'ять: 64кб SRAM
Робоча напруга: 1,7...1,95В
Робоча температура: -40...85°C
Стандартне пакування виробника: 60шт.
Структура пам'яті: 8Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 32нс
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C

6,78 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 250А; Iвих: 5А; 50÷60Гц; IP30
Трансформатор: струмовий; Iвх: 250А; Iвих: 5А; 50÷60Гц; IP30

2436,65 грн

Вихідний струм:
5А
Вхідний струм:
250А
Клас герметичності:
IP30
Монтаж:
на дріт; на шині струму; пригвинчуваний
Трансформатор: литий; 3ВА; 115ВACx2; 6В; 6В; 250мА; 250мА; PCB; BVUI
Трансформатор: литий; 3ВА; 115ВACx2; 6В; 6В; 250мА; 250мА; PCB; BVUI

1329,20 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
6В
Вторинна напруга 2:
6В
Зовнішні розміри:
53,4x44,6x17,8мм
Недоступний
Вентилятор: DC; 80x80x20мм; осьовий; 12ВDC; 52,2м3/г; 31дБА
Вентилятор: DC; 80x80x20мм; осьовий; 12ВDC; 52,2м3/г; 31дБА

0,00 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Роз’єм: оптоволоконні; вилка; гніздовий; прямий; чорний
Роз’єм: оптоволоконні; вилка; гніздовий; прямий; чорний

3171,57 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
Set Han3A M receptacle 2x LC dup. MM GOF
Вид роз’єму:
гніздовий
Колір:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 16кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 16кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

2,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI