1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, послідовн

IC: пам'ять SRAM; 64кБSRAM; 8Кx8бит; 1,7÷1,95В; SOIC8; -40÷85°C

IC: пам'ять SRAM; 64кБSRAM; 8Кx8бит; 1,7÷1,95В; SOIC8; -40÷85°C
Немає в наявності
Код товару: 23A640T-I/SN
38,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3300
Крок додавання: 3300
Код товару: 23A640T-I/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 64кб SRAM
Робоча напруга: 1,7...1,95В
Робоча температура: -40...85°C
Стандартне пакування виробника: 3300шт.
Структура пам'яті: 8Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 32нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 120пФ; 50В; X7R; ±10%; 0805
Конденсатор: керамічний; 120пФ; 50В; X7R; ±10%; 0805

0,54 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,12нФ
Корпус - дюйм:
0805
Конденсатор: поліпропиленовий; 18мкФ; 400ВDC; ±2%; Ø28,8x62мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 18мкФ; 400ВDC; ±2%; Ø28,8x62мм

750,76 грн

Виводи:
осьові
Висота:
62мм
Діаметр:
28,8мм
Допуск:
±2%
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; -55÷155°C

0,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210

3,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; 8A/250ВAC; DK
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; 8A/250ВAC; DK

464,39 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
20x15x10мм
Конфігурація контактів:
DPST-NO
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

3,80 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C