1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, послідовн

IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷3,6В; 16МГц; SO8; -40÷85°C

IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷3,6В; 16МГц; SO8; -40÷85°C
Немає в наявності
Код товару: 23K640-I/SN
37,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 500
Код товару: 23K640-I/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: туба
Інтерфейс: SPI
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 64кб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Стандартне пакування виробника: 100шт.
Структура пам'яті: 8Кx8бит
Тактова частота: 16МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: послідовний
Недоступний
Резистор: thin film; 5,11кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 5,11кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 665Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 665Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 500Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 500Вт

4581,23 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
42А
Діапазон вихідної напруги:
10,8...14В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 9,1Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

1,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
9,1Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0603

1,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: totem pole; Uізол: 3,75кВ; SOIC8; Urmax: 5В
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: totem pole; Uізол: 3,75кВ; SOIC8; Urmax: 5В

0,00 грн

Вид виходу:
totem pole
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
2
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Резистор: thick film; 48,7Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 48,7Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба

122,91 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

133,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

114,67 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба

78,56 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба

44,98 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C