IC: пам'ять SRAM; 64кБSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷3,6В; TSSOP8; -40÷125°C

Немає в наявності
Код товару: 23K640T-E/ST
45,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: 23K640T-E/ST
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 64кб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Стандартне пакування виробника: 2500шт.
Структура пам'яті: 8Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 32нс
Недоступний
Connector: PCB to PCB; plug; male; data; PIN: 32; LAT-CON127; angled
Connector: PCB to PCB; plug; male; data; PIN: 32; LAT-CON127; angled

107,70 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 626кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 626кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В

0,94 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять FLASH; 32МбFLASH; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
IC: пам'ять FLASH; 32МбFLASH; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8

176,13 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SDI; SPI; SQI
Корпус:
SO8
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 3А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 3А

81,09 грн

Виводи:
для друку; до лютування
Електрична стійкість:
500000 цикли
Зовнішні розміри:
20,2x10,2x10,6мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 9; THT; straight

29,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
40,8мм
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thin film; 3,16кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; AT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 3,16кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; AT; -55÷155°C

1,96 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Перетворювач: DC/DC; 0,75Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP; THT
Перетворювач: DC/DC; 0,75Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP; THT

157,75 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
63мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Зовнішні розміри:
11,53x6,1x7,46мм
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба

78,56 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба

44,98 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C