1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, послідовн

IC: пам'ять SRAM; 64кБSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷3,6В; TSSOP8; -40÷85°C

IC: пам'ять SRAM; 64кБSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷3,6В; TSSOP8; -40÷85°C
Немає в наявності
Код товару: 23K640-I/ST
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 100
Код товару: 23K640-I/ST
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: туба
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 64кб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Стандартне пакування виробника: 100шт.
Структура пам'яті: 8Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 25нс
Маркер: кабельний; Маркування: Z; 8÷16мм; ПВХ; жовтий; CLI C; W: 11мм
Маркер: кабельний; Маркування: Z; 8÷16мм; ПВХ; жовтий; CLI C; W: 11мм

6,53 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів
Висота:
6мм
Зовнішній діаметр проводу:
8...16мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C

0,25 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 33мкФ; 6,3ВDC; Ø4x5,4мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 33мкФ; 6,3ВDC; Ø4x5,4мм; ±20%

4,37 грн

Висота:
5,4мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
4мм
Допуск:
±20%
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 15А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 15А

18,50 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
12мм
Відповідність стандарту:
UL
Недоступний
Резистор: thin film; 12Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В
Резистор: thin film; 12Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В

5,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C