IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 5В; 12нс; SOJ28; паралельний

Немає в наявності
Код товару: AS7C164A-12JCNTR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C164A-12JCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ28
Монтаж: SMD
Пам'ять: 64кб SRAM
Робоча напруга: 5В
Структура пам'яті: 8Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Ширіна мікросхеми: 300mils
Недоступний
Резистор: thin film; 215Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 215Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 240ВAC; DPDT; Iконтактів max: 10А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 240ВAC; DPDT; Iконтактів max: 10А

821,72 грн

Зовнішні розміри:
35x35x54,4мм
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. напруга котушки:
264В AC
Провід; OZ-500; OZ; 2x1,5мм2; неекранований; 300В,500В; Cu; тросик
Провід; OZ-500; OZ; 2x1,5мм2; неекранований; 300В,500В; Cu; тросик

84,90 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
OZ
Недоступний
Резистор: thin film; 47,5Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 47,5Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 100мА; Iмакс: 10А; 0ZTJ; 1206
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 100мА; Iмакс: 10А; 0ZTJ; 1206

17,23 грн

Застосування запобіжників:
автомобільні застосування
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Максимальна напруга:
30В DC
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 5В; 0,1А; SO8
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 5В; 0,1А; SO8

32,94 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,1А
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 90÷264ВAC,120÷370ВDC; Uвих: 12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 90÷264ВAC,120÷370ВDC; Uвих: 12ВDC

800,18 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,416А
Вхідна напруга:
90...264В AC; 120...370В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils

414,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32

164,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100

193,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1883,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C