IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; SOIC8; -40÷105°C; послідовний

Немає в наявності
Код товару: CY14ME064J2-SXQT
344,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: CY14ME064J2-SXQT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 4,5...5,5В DC
Пам'ять: 64кб SRAM
Робоча температура: -40...105°C
Структура пам'яті: 8Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: послідовний
Частота: 3,4МГц
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм

8,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; 4PDT; Iконтактів max: 7А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; 4PDT; Iконтактів max: 7А

729,85 грн

Зовнішні розміри:
27,4x21x35,5мм
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
4PDT
Макс. напруга котушки:
121В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 133кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 133кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

17,11 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 8,45кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В
Резистор: thick film; 8,45кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 178мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 178мм

11,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: перемикальний Шотткі; SOD123F; SMD; 100В; 0,15А; 200мВт
Діод: перемикальний Шотткі; SOD123F; SMD; 100В; 0,15А; 200мВт

13,30 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 348Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 348Ом; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В; -55÷155°C

21,48 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4320
Корпус - мм:
1150
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба

44,98 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI