IC: пам'ять SRAM; 64МбSRAM; 4Mx16бит; 1,7÷1,95/2,7÷3,6В; 70нс

Немає в наявності
Код товару: IS66WVE4M16ECLL-70BLI
304,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: IS66WVE4M16ECLL-70BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: PSRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 64Мб SRAM
Робоча напруга: 1,7...1,95/2,7...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 4Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 70нс
Реактор: дротяний; SMD; 90нГн; R: 125мкОм; ±10%; 98А; ферит; 12мм
Реактор: дротяний; SMD; 90нГн; R: 125мкОм; ±10%; 98А; ферит; 12мм

83,00 грн

Висота:
12мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
90нГн
Матеріал стержня:
ферит
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 4x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 4x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

4620,51 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(UL) TYPE CMG FT4; UL 2464; UL CMG
Single socket; 250VAC; 16A; for DIN rail mounting; ACTI9
Single socket; 250VAC; 16A; for DIN rail mounting; ACTI9

1032,06 грн

Модель роз’єму:
Schuko; тип F
Монтаж:
на шину DIN
Номінальна напруга:
250В AC
Номінальний струм:
16А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 470пФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; 470пФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0201

0,19 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
0,47нФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2пФ
Недоступний
Наконечник; спеціальна; 3,2мм; 413°C; до паяльної станції
Наконечник; спеціальна; 3,2мм; 413°C; до паяльної станції

2169,92 грн

Застосування паяльного обладнання:
до паяльної станції
Модель:
з нагрівачем
Розміри наконечника:
3,2мм
Супутні товари:
CV-5210; CV-H1-AV; CV-UK1; MX-5210; MX-5241; MX-5251; MX-H1-AV
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

479,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48

368,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
LQFP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils

180,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

724,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD