IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 1024Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS62C10248AL-55TLI
625,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IS62C10248AL-55TLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 4,5...5,5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1024Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Перехідник різьблення для обтисків; PG11; PG21; латунь; нікель
Перехідник різьблення для обтисків; PG11; PG21; латунь; нікель

274,33 грн

Відповідність стандарту:
II 2G Ex eb IIC Gb / II 1D Ex ta IIIC Da
Внутрішня різьба:
PG11
Зовнішня різьба:
PG21
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; ERJUP3J; 150В
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; ERJUP3J; 150В

1,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 3+N
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 3+N

1004,82 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Кількість полюсів:
3+N
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3,3В; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА; SIP7
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3,3В; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА; SIP7

83,00 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
84мА
Вхідна напруга:
3,3В
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thin film; 9,53кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 9,53кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR

33,13 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Вентилятор: DC; 60x60x25,4мм; осьовий; 12ВDC; 61,02м3/г; 44дБА
Вентилятор: DC; 60x60x25,4мм; осьовий; 12ВDC; 61,02м3/г; 44дБА

0,00 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,5пФ
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

479,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48

368,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
LQFP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C

1077,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD