IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 1Mx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS64WV10248EDBLL-10BLA3
978,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: IS64WV10248EDBLL-10BLA3
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 1Mx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 16,5кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Роз’єм: MMCX; вилка; гніздовий; коаксіальний; прямий; 50Ом; PTFE
Роз’єм: MMCX; вилка; гніздовий; коаксіальний; прямий; 50Ом; PTFE

1002,28 грн

Connector family:
коаксіальний
Вид кабелю:
1.13 mm Micro-cable
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання; паяння
Резистор: thin film; 390кОм; 0603; 100мВт,210мВт; ±0,1%; -55÷175°C
Резистор: thin film; 390кОм; 0603; 100мВт,210мВт; ±0,1%; -55÷175°C

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 1000мкФ; 25ВDC; Ø12,5x15мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 1000мкФ; 25ВDC; Ø12,5x15мм

15,33 грн

Висота:
15мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1мФ
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 35нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 2,2В
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 35нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 2,2В

8,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Нагрівальний елемент: обігрівач; обігрівна; S4; 125Вт; 24ВAC; IP54
Нагрівальний елемент: обігрівач; обігрівна; S4; 125Вт; 24ВAC; IP54

3835,53 грн

Виводи:
кабель 3x0,75мм2
Зовнішні розміри:
153x75x45мм
Клас герметичності:
IP54
Матеріал:
кераміка
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%

65,89 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
12,5мм
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils

345,92 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C

159,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

472,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

94,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C

1828,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1194,88 грн