IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 1Mx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR
717,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1пФ
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 25нс; 975мВ; 2мкА; ролик,cтрічка
Діод: випрямний; SMD; 25нс; 975мВ; 2мкА; ролик,cтрічка

63,99 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
0,975В
Стандартне пакування виробника:
3000шт.
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
10пФ
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1515; 1,5мкГн; 3200мА; R: 0,016Ом; ±20%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1515; 1,5мкГн; 3200мА; R: 0,016Ом; ±20%; LQH

9,76 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Корпус - дюйм:
1515
Недоступний
Connector: D-Sub; PIN: 15; plug; male; data transfer; soldering
Connector: D-Sub; PIN: 15; plug; male; data transfer; soldering

678,54 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
15
Недоступний
Резистор: thick film; 180мОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3RSF
Резистор: thick film; 180мОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3RSF

2,95 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0805

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1мкФ
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1883,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils

414,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32

164,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

393,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II

255,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II

445,39 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM