1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, послідовн

IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 1Mx8бит; 3В; SO8; -40÷85°C; послідовний

IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 1Mx8бит; 3В; SO8; -40÷85°C; послідовний
Немає в наявності
Код товару: IS66WVS1M8BLL-104NLI
165,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IS66WVS1M8BLL-104NLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: послідовний
Недоступний
IC: цифровий; буфер; Ch: 8; CMOS; SMD; TSSOP20; -40÷125°C; LVC; 5,1нс
IC: цифровий; буфер; Ch: 8; CMOS; SMD; TSSOP20; -40÷125°C; LVC; 5,1нс

34,21 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
8
Недоступний
Варистор: оксидно-цинковий; THT; 460ВAC; 615ВDC; 750В; 2,5кА; Ø10мм
Варистор: оксидно-цинковий; THT; 460ВAC; 615ВDC; 750В; 2,5кА; Ø10мм

3,16 грн

Виводи:
прямі
Вид упаковки:
сумка
Висота:
10мм
Діаметр:
10мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,04 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 2220

30,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
0,27мкФ
Кристал; 18пФ; SMD; ESR: 70Ом; 16МГц; Стаб.част: ±100ppm; -40÷125°C
Кристал; 18пФ; SMD; ESR: 70Ом; 16МГц; Стаб.част: ±100ppm; -40÷125°C

23,76 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
70Ом
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 200А; 41Вт; Power33
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 200А; 41Вт; Power33

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
Power33
Недоступний
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

1,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

77,93 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; туба

53,85 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

163,46 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI