IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS62WV51216EFBLL-45TLI
352,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 135
Крок додавання: 135
Код товару: IS62WV51216EFBLL-45TLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,2...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

1,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1нФ
Connector: wire-board; male; data; 250V; PIN: 8; shrouded; 2.5mm; 3A
Connector: wire-board; male; data; 250V; PIN: 8; shrouded; 2.5mm; 3A

5,13 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
8
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 24пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 24пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В

1,02 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реєстратор; 85÷260ВAC; IN: 16; на панель; IP65 (лицьова сторона)
Реєстратор; 85÷260ВAC; IN: 16; на панель; IP65 (лицьова сторона)

40350,40 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD TFT 3,5"; кольоровий
Вид виходу 1:
SPST-NO
Вид виходу 2:
SPST-NO
Вид входу 1:
0...20мА; 4...20мА
Connector: wire-board; female; data; 125V; PIN: 20; Locking: latch
Connector: wire-board; female; data; 125V; PIN: 20; Locking: latch

5,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
20
Недоступний
Резистор: thin film; 41,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB
Резистор: thin film; 41,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB

11,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C

606,94 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
4,5...5,5В
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

318,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100

193,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

3466,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2551,95 грн